GigaDevice GD9F并行NAND闪存提供高容量存储和性能。这使得这些设备成为移动设备、机顶盒、数据卡、电视等上的多媒体数据存储应用程序的理想选择。特性电力供应1.8V: 1.7V ~ 1.95V3.0V: 2.7V ~ 3.6V页...

英特尔在当地时间周日开始出货首批基于3D XPoint新技术的产品，希望借此重塑计算机内存市场，协助公司从科技行业的数据爆炸中获得更多利润。

早在今年的FMS国际闪存会议上，SK Hynix就宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存，日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产，目前主要是TLC类型，96层堆栈，512Gb核心容量，使用该技术可以减少30%的核心面积，读取、写入速度分别提升30%、25%。

IntelSSD DC P4610系列采用64层TLC Intel 3D NAND技术。P4610系列提供性能、服务质量(quality service, QoS)和容量改进，进一步优化存储效率。这使得数据中心能够在每个服务器上做更多的事情...

Alliance MemoryAS5F系列串行外设接口(SPI) NAND闪存是具有标准并行NAND的单级Cell (SLC) NAND的存储器设备。这些器件工作在1.8V到3V，密度从1Gb到8Gb，高速时钟频率高达120MHz。AS5F SPI NAND闪...

目前，两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划。其中，三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外，SK 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。不过，虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品，但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。

由于NAND闪存的价格已经连跌了6个季度，今年Q1季度几家NAND厂商的财报惨不忍睹，三星美光东芝等公司也决定削减NAND产能至少5%，目的是缓解市场上供过于求的局面。

存储器作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言，存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。

三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。

IntelSSD DC P4511系列采用64层TLC Intel 3D NAND技术。SSD数据中心P4511系列通过性能、QoS (quality service)和容量提升，进一步优化存储效率。这使得数据中心能够在每个服务器上做更多的...

近日，长江存储好消息频传，继32层3D NAND将于2018年底前投产，又有业内人士透露，Xtacking架构64层NAND已送样至合作伙伴进行测试。长江存储有望在2020年进入128层3D NAND并与国际大厂展开竞争。

NAND Flash市场价格遭遇景气逆风，供应链获利保卫战压力倍增，最新传出光宝科技有意出售旗下的储存装置部门，而合资的苏州光建是否一并处分则尚未有共识。

近日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。